IPI65R190CFD

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

IPI65R190CFD datasheet

• Маркировка
  IPI65R190CFD
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies IPI65R190CFD RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 17.5 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.19 Ohms Configuration: Single Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: I2PAK Fall Time: 6.4 ns Gate Charge Qg: 68 nC Power Dissipation: 151 W Rise Time: 8.4 ns Part # Aliases: IPI65R190CFDXK IPI65R190CFDXKSA1 SP000905386
• Количество страниц
  20 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet IPI65R190CFD.pdf
Файл формата Pdf 3,54 MB